消音降噪設(shè)備E134-134
- 型號消音降噪設(shè)備E134-134
- 密度403 kg/m3
- 長度09474 mm
據(jù)復(fù)旦大學(xué)公眾號消息，消音降噪設(shè)備E134-134北京時間10月8日晚，消音降噪設(shè)備E134-134復(fù)旦大學(xué)在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（Afull-featured2Dflashchipenabledbysystemintegration），相關(guān)成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片，攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。
今年4月，消音降噪設(shè)備E134-134周鵬-劉春森團(tuán)隊于《自然》（Nature）期刊提出破曉二維閃存原型器件，消音降噪設(shè)備E134-134實現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲，是迄今最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。消音降噪設(shè)備E134-134每日經(jīng)濟(jì)新聞綜合復(fù)旦大學(xué)公眾號封面圖片來源：每日經(jīng)濟(jì)新聞。因為它對材料質(zhì)量和工藝制造沒有提出更高要求，消音降噪設(shè)備E134-134而且能夠達(dá)到的性能指標(biāo)遠(yuǎn)超現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，可能會產(chǎn)生一些顛覆性的應(yīng)用場景。當(dāng)前，消音降噪設(shè)備E134-134國際上對二維半導(dǎo)體的研究仍在起步階段，尚未實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。從目前技術(shù)來看，消音降噪設(shè)備E134-134存儲器是二維電子器件最有可能首個產(chǎn)業(yè)化的器件類型。大數(shù)據(jù)與人工智能時代對數(shù)據(jù)存取性能提出了極致要求，消音降噪設(shè)備E134-134而傳統(tǒng)存儲器的速度與功耗已成為阻礙算力發(fā)展的卡脖子問題之一。每經(jīng)編輯|黃勝繼今年4月在《自然》提出破曉二維閃存原型器件后，消音降噪設(shè)備E134-134復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊又迎來新突破
