吸盤D53-532
- 型號吸盤D53-532
- 密度032 kg/m3
- 長度26483 mm
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圖片來源：吸盤D53-532復(fù)旦大學(xué)公眾號截圖面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn)，吸盤D53-532具有原子級厚度的二維半導(dǎo)體是目前國際公認(rèn)的破局關(guān)鍵，科學(xué)家們一直在探索如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路中。據(jù)復(fù)旦大學(xué)公眾號消息，吸盤D53-532北京時間10月8日晚，吸盤D53-532復(fù)旦大學(xué)在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（Afull-featured2Dflashchipenabledbysystemintegration），相關(guān)成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片，攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。今年4月，吸盤D53-532周鵬-劉春森團隊于《自然》（Nature）期刊提出破曉二維閃存原型器件，吸盤D53-532實現(xiàn)了400皮秒超高速非易失存儲，是迄今最快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，為打破算力發(fā)展困境提供了底層原理。吸盤D53-532每日經(jīng)濟新聞綜合復(fù)旦大學(xué)公眾號封面圖片來源：每日經(jīng)濟新聞。因為它對材料質(zhì)量和工藝制造沒有提出更高要求，吸盤D53-532而且能夠達(dá)到的性能指標(biāo)遠(yuǎn)超現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，可能會產(chǎn)生一些顛覆性的應(yīng)用場景。當(dāng)前，吸盤D53-532國際上對二維半導(dǎo)體的研究仍在起步階段，尚未實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。從目前技術(shù)來看，吸盤D53-532存儲器是二維電子器件最有可能首個產(chǎn)業(yè)化的器件類型。
